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华瑞mos管,MOS分类

发布：2012-09-27 23:39，更新：2010-01-01 00:00

•1.JFET利用PN结反向电压对耗尽层厚度的控制来改变导电沟道的宽度，从而控制漏极电流的大小。
•2.IGFET绝缘栅极场效应管利用栅源电压的大小来改变半导体表面感生电荷的多少，从而控制漏极电流的大小。

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